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Transistor IGBT FGH40N60SMD

Transistor IGBT FGH40N60SMD

FGH40N60SMD

Q64.00
Q64.00
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Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) FGH40N60SMD, en encapsulado TO-247 para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

  • Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V.
  • Corriente de colector (IC): 40 A.
  • Encapsulado: TO-247.
  • Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS

Transistor IGBT FGH40N60SMD

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