• Transistor IGBT FGH60N60SMD-1
1 1

Transistor IGBT FGH60N60SMD

Transistor IGBT FGH60N60SMD

FGH60N60SMD

Q199.00
Q199.00
Oferta Agotado

9 en existencias

  • Envío a todo el país a cualquier municipio
  • Pago contra entrega, con tarjeta o transferencia
  • Recoge en tienda sin costo

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) FGH60N60SMD, en encapsulado TO-247 para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

  • Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V.
  • Corriente de colector (IC): 60 A.
  • Encapsulado: TO-247.
  • Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS

Transistor IGBT FGH60N60SMD

 Ver todos los detalles