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Transistor IGBT NCE30TD60B

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NCE30TD60B

Q27.00
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Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) NCE30TD60B, en encapsulado TO-220FP para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

  • Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V.
  • Corriente de colector (IC): 30 A.
  • Encapsulado: TO-220FP.
  • Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS

Transistor IGBT NCE30TD60B

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