Transistor IGBT STG60N60FD1PN

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) SGT60N60FD1PN, en encapsulado TO-3P para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

• Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V.
• Corriente de colector (IC): 60 A.
• Encapsulado: TO-3P.
• Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS