Transistor IGBT STGF19NC60KD

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) STGF19NC60KD, en encapsulado TO-220FP para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

• Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V.
• Corriente de colector (IC): 20 A.
• Voltaje compuerta-emisor máximo (VGE): ±20 V.
• Diodo en antiparalelo: Integrado.
• Encapsulado: TO-220FP.
• Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS