• Transistor IGBT STGF3NC120HD-1
1 1

Transistor IGBT STGF3NC120HD

Transistor IGBT STGF3NC120HD

STGF3NC120HD

Q19.00
Q19.00
Oferta Agotado

Bajas existencias: quedan 4

  • Envío a todo el país a cualquier municipio
  • Pago contra entrega, con tarjeta o transferencia
  • Recoge en tienda sin costo

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) STGF3NC120HD, en encapsulado TO-220FP para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

  • Voltaje colector-emisor (VCES): 1,200 V.
  • Corriente de colector (IC): 6 A.
  • Voltaje compuerta-emisor máximo (VGE): ±20 V.
  • Diodo en antiparalelo: Integrado.
  • Encapsulado: TO-220FP.
  • Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS

Transistor IGBT STGF3NC120HD

 Ver todos los detalles