Transistor IGBT XNF15N60T

Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) XNF15N60T, en encapsulado TO-220FP para montaje de inserción. Combina una compuerta tipo MOSFET, que se controla por voltaje y casi no consume corriente, con una estructura bipolar entre colector y emisor que conduce corrientes altas con un voltaje de saturación bajo. En un circuito funciona como interruptor de potencia en conmutación a alto voltaje.

• Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V.
• Corriente de colector (IC): 15 A.
• Encapsulado: TO-220FP.
• Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS