Transistor mosfet IRF3205PBF

Transistor MOSFET de canal N IRF3205PBF, en encapsulado TO-220AB para montaje de inserción. Es un transistor de efecto de campo controlado por voltaje: el voltaje entre compuerta y fuente (VGS) abre o cierra el canal entre drenador y fuente, y la compuerta casi no consume corriente en estado estable. En un circuito funciona como interruptor electrónico o en etapas de potencia; su resistencia en conducción (RDS(on)) determina la pérdida de potencia mientras conduce.

• Tipo de canal: Canal N, enriquecimiento.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 55 V.
• Corriente de drenador (ID): 110 A.
• Resistencia en conducción (RDS(on)): 8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 62 A.
• Voltaje compuerta-fuente máximo (VGS): ±20 V.
• Voltaje de umbral (VGS(th)): 2 V a 4 V.
• Encapsulado: TO-220AB.
• Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS