Transistor mosfet IRF5305PBF

Transistor MOSFET de canal P IRF5305PBF, en encapsulado TO-220AB para montaje de inserción. Es un transistor de efecto de campo controlado por voltaje: el voltaje entre compuerta y fuente (VGS) abre o cierra el canal entre drenador y fuente, y la compuerta casi no consume corriente en estado estable. En un circuito funciona como interruptor electrónico o en etapas de potencia; su resistencia en conducción (RDS(on)) determina la pérdida de potencia mientras conduce.

• Tipo de canal: Canal P, enriquecimiento.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): -55 V.
• Corriente de drenador (ID): -31 A.
• Resistencia en conducción (RDS(on)): 60 mΩ a VGS = -10 V, ID = -16 A.
• Voltaje compuerta-fuente máximo (VGS): ±20 V.
• Voltaje de umbral (VGS(th)): -2 V a -4 V.
• Encapsulado: TO-220AB.
• Montaje: Inserción (THT).

HOJA DE DATOS