Transistor mosfet SMD 2N7002LT1G

Transistor MOSFET de canal N 2N7002LT1G, en encapsulado SOT-23 para montaje superficial (SMD). Es un transistor de efecto de campo controlado por voltaje: el voltaje entre compuerta y fuente (VGS) abre o cierra el canal entre drenador y fuente, y la compuerta casi no consume corriente en estado estable. En un circuito funciona como interruptor electrónico o en etapas de potencia; su resistencia en conducción (RDS(on)) determina la pérdida de potencia mientras conduce.

• Tipo de canal: Canal N, enriquecimiento.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 60 V.
• Corriente de drenador (ID): 115 mA.
• Resistencia en conducción (RDS(on)): 7.5 Ω.
• Voltaje de umbral (VGS(th)): 1 V a 2.5 V.
• Encapsulado: SOT-23.
• Montaje: Superficial (SMD).

HOJA DE DATOS