Transistor mosfet SMD FQD10N20CTM

Transistor MOSFET de canal N FQD10N20CTM, en encapsulado TO-252 (DPAK) para montaje superficial (SMD). Es un transistor de efecto de campo controlado por voltaje: el voltaje entre compuerta y fuente (VGS) abre o cierra el canal entre drenador y fuente, y la compuerta casi no consume corriente en estado estable. En un circuito funciona como interruptor electrónico o en etapas de potencia; su resistencia en conducción (RDS(on)) determina la pérdida de potencia mientras conduce.

• Tipo de canal: Canal N, enriquecimiento.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 200 V.
• Corriente de drenador (ID): 7.8 A.
• Resistencia en conducción (RDS(on)): 0.36 Ω a VGS = 10 V.
• Voltaje compuerta-fuente máximo (VGS): ±30 V.
• Voltaje de umbral (VGS(th)): 2 V a 4 V.
• Encapsulado: TO-252 (DPAK).
• Montaje: Superficial (SMD).

HOJA DE DATOS