Transistor mosfet 18N60M2
Transistor mosfet 18N60M2
SKU:STF18N60M2
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Transistor MOSFET de canal N 18N60M2, en encapsulado TO-220FP para montaje de inserción. Es un transistor de efecto de campo controlado por voltaje: el voltaje entre compuerta y fuente (VGS) abre o cierra el canal entre drenador y fuente, y la compuerta casi no consume corriente en estado estable. En un circuito funciona como interruptor electrónico o en etapas de potencia; su resistencia en conducción (RDS(on)) determina la pérdida de potencia mientras conduce.
- Tipo de canal: Canal N, enriquecimiento.
- Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V.
- Corriente de drenador (ID): 13 A.
- Resistencia en conducción (RDS(on)): 0.28 Ω máximo a VGS = 10 V.
- Voltaje compuerta-fuente máximo (VGS): ±25 V.
- Encapsulado: TO-220FP.
- Montaje: Inserción (THT).
Transistor mosfet 18N60M2
